本月初，高通公司在年度Snapdragon峰會上正式發(fā)布了兩種新的驍龍芯片，分別是驍龍865和驍龍765。驍龍865和驍龍765在性能和功能方面帶來許多新的升級。當(dāng)然，作為高通年度旗艦芯片，預(yù)計2020年絕大多數(shù)旗艦手機上都將會采用驍龍865處理器。

高通驍龍865

解讀驍龍865的技術(shù)升級

作為驍龍855的繼承者，驍龍865代表了高通公司最新旗艦級的芯片組，提供了最新的IP和技術(shù)。

高通驍龍865芯片參數(shù)

在CPU方面，高通公司集成了Arm最新的Cortex-A77 CPU內(nèi)核，取代了去年基于A76的IP。由于今年高通決定不對IP進(jìn)行任何微體系結(jié)構(gòu)更改，因此與基于Kryo 485/A76的半定制CPU相比，在設(shè)計上有一些不同之處，而驍龍865中的新A77代表了Arm提供的默認(rèn)IP配置。

驍龍865時鐘頻率和核心緩存配置沒有改變——仍然有一個“主”A77 CPU內(nèi)核，主頻為2.84GHz，擁有512KB的緩存；同時，擁有三個2.42GHz 的內(nèi)核， 緩存為256KB。除此之外，剩余的四個小內(nèi)核仍然采用A55，擁有 1.8GHz時鐘頻率。最后，高通公司還將L3緩存從2MB增到4MB?？偟膩碚f，高通公司宣稱CPU方面具備25%的性能提升，但從參數(shù)來看也僅僅來自于新A77內(nèi)核的IPC增加。

高通驍龍865芯片的GPU

GPU方面，高通驍龍865采用了更新設(shè)計的Adreno 650，將ALU和像素渲染單元增加了50%。高通表示其性能將至少提升25%，并能夠以更低的頻率運行最新內(nèi)容。此外，高通還公布了芯片上所有計算塊的15個最高吞吐量，預(yù)計新的Tensor核心大約占這個數(shù)字的10個最高吞吐量。

高通驍龍865芯片

總體來看，高通驍龍865是一款非常不錯的芯片，帶來了許多新的改進(jìn)，特別是5G連接和新的攝像頭功能方面，將成為芯片的核心關(guān)鍵所在。接下來，我們看一下高通驍龍865的第一個測試結(jié)果和分析。

采用LPDDR5內(nèi)存控制器來降低內(nèi)存延遲

高通新發(fā)布的驍龍芯片最大的變化之一是集成了一個新的混合LPDDR5和LPDDR4X內(nèi)存控制器。在我們測試過的QRD865設(shè)備上，配備了新的LP5標(biāo)準(zhǔn)。雖然高通公司淡化了LP5本身的重要性，但新標(biāo)準(zhǔn)確實帶來了更高的內(nèi)存速度，提供了更好的帶寬。

之前，高通公司聲稱他們更專注于改進(jìn)其內(nèi)存控制器，因此在新的芯片上我們終于看到高通解決了過去兩代芯片所表現(xiàn)出的一些弱點：內(nèi)存延遲。

雖然新一代的芯片在能效上會有更好的表現(xiàn)，但實際效果來看并不是特別突出。

此前，我們曾批評高通公司的驍龍845和驍龍855的內(nèi)存延遲相當(dāng)糟糕——自從高通公司將其系統(tǒng)級緩存體系結(jié)構(gòu)引入設(shè)計以來，內(nèi)存子系統(tǒng)的這一方面已經(jīng)出現(xiàn)了一些相當(dāng)平庸的特點。關(guān)于到底對性能有多大影響，有很多爭論，高通公司自然會淡化這些差異。Arm通常會注意到，DRAM的每5ns延遲有1%的性能差異，如果差異很大，則可以總結(jié)為明顯的差異。

高通驍龍865芯片對比測試

通過上圖對兩個延遲圖表的對比不難發(fā)現(xiàn)，首先彈出的是新的芯片的雙倍L3緩存。需要注意的是，上圖可以看到仍然有某種邏輯分區(qū)在進(jìn)行，由此推測512KB的緩存可能專用于小核心，因為隨機訪問延遲開始上升，驍龍855為1.5MB，驍龍865為3.5MB。

在更深層的記憶區(qū)域，我們看到了一些非常大的延遲變化。高通公司已經(jīng)能夠在完全隨機訪問測試中減少約35納秒，我們預(yù)計芯片的結(jié)構(gòu)延遲目前已經(jīng)下降到約109納秒，比前一代芯片提高了20納秒。雖然，這是一個非常好的改進(jìn)，但它仍略落后于海思、蘋果和三星的設(shè)計。因此，盡管高通在其存儲子系統(tǒng)方面仍然排在最后一名，但它們之間的差距已經(jīng)大大縮小。

此外，在DRAM領(lǐng)域的測試結(jié)果中，非常有趣的是TLB+CLR測試行為，這個測試總是在一個頁面中的同一個緩存線跨不同的緩存線，強制替換緩存線。奇怪的是，驍龍865在這里的行為與驍龍855非常不同。結(jié)果顯示，在4MB~32MB之間有一個單獨的“步驟”。這個結(jié)果更像是測試的一個偽制品，只是每頁只命中一個緩存線，而不是芯片實際上有某種32MB的隱藏緩存。

通過測試，我們認(rèn)為高通公司在內(nèi)存控制器級別對緩存線替換策略進(jìn)行了某種優(yōu)化，而測試命中的DRAM實際上位于SLC緩存上。這是一個非常有趣的結(jié)果，到目前為止這是第一個也是唯一一個表現(xiàn)出這種行為的芯片組。如果確實是SLC，則延遲將下降到大約25-35ns，不一致的延遲可能是專用于四個內(nèi)存控制器的四個緩存片的結(jié)果。

總結(jié)：高通公司今年似乎對內(nèi)存子系統(tǒng)做了相當(dāng)大的改變，我們期待看到更多的對性能所帶來的影響。

（正文已結(jié)束）

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